参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSO220N03MD G
说明	功率MOSFET   4.9mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-08]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	800pF @ 15V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
通道数量	2Channel
连续漏极电流Id	7.7A
Rds On(Max)@Id,Vgs	18.3mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	10nC
配置	Dual
Pd-功率耗散(Max)	2W
高度	1.75mm
长度	4.9mm
系列	OptiMOS3M
FET类型	2N-Channel
宽度	3.9mm
正向跨导 - 最小值	9S
下降时间	3.4ns
上升时间	2.8ns
典型关闭延迟时间	6.4ns
典型接通延迟时间	5.7ns
漏源极电压Vds	30V